Principal RF/mmWave Design Engineer

Stellen Sie sich vor, Teil eines Teams zu sein, das die Zukunft der Mobilität neu definiert – wo Ihre Ideen nicht nur in einem Labor bleiben, sondern die nächste Generation von Technologie antreiben. Bei indie entwickeln wir hochmoderne Halbleiter, Photonik und Radarsensoren sowie -systeme für die Automobil-, Industrie- und angrenzenden Märkte. Unsere Innovationen stehen im Mittelpunkt fortschrittlicher intelligenter Sensorik und Benutzererfahrungsanwendungen und erweitern die Grenzen des Möglichen.

Wir suchen einen Principal RF/mmWave Design Engineer, um fortschrittliche RF/mmWave IPs und ICs für Hochfrequenzschaltungen zu entwerfen, zu integrieren und zu entwickeln, die nächste Radar-Systemgeneration antreiben. In dieser Rolle werden Sie mit außergewöhnlichen Ingenieurteams zusammenarbeiten, kritische technische Initiativen leiten und Innovationen vorantreiben, die den Automobilsektor und die breitere High-Tech-Industrie unterstützen.

Wenn Sie leidenschaftlich daran interessiert sind, integrierte Schaltungen für Frequenzen von bis zu 120 GHz zu entwerfen und in einer dynamischen, wachstumsorientierten Umgebung gedeihen, ermutigen wir Sie, diese Gelegenheit zu erkunden.

• Architektur, Spezifikation, Design und Integration von Hochleistungs-RF/mmWave IPs und ICs
• Entwicklung integrierter Hochfrequenzschaltungen für Radar-Anwendungen
• Design von Schaltungen, die bei 24 GHz, 60 GHz, 77 GHz und bis zu 120 GHz arbeiten
• Kollaboration mit System-, Anwendungs-, Software-, RF-Labor- und ATE-Teams
• Leitung technischer Aktivitäten und Mentoring von Junior-Ingenieuren
• Durchführung oder Unterstützung der Schaltungscharakterisierung und -debugging im RF-Labor

• MSc oder PhD in Elektronik, Mikroelektronik oder einem verwandten Bereich mit mehr als 5 Jahren Berufserfahrung im Design von RF/mmWave ICs
• Starke theoretische und praktische Expertise im siliziumbasierten IC-Design, insbesondere RF-ICs über 10 GHz
• Nachgewiesene Erfahrung im Design von mmWave-Schaltungen wie Verstärkern, PAs, Phasenrotatoren, Splittern/Kombinierern, LNAs und Frequenzmultiplikatoren
• Kenntnisse über RF-CMOS- und BiCMOS-Prozesstechnologien, einschließlich automobiltauglicher Spezifikationen
• Beherrschung von Transistor-Level-Analog/RF-Simulations-, Layout- und Verifikationstools (z.B. Cadence, EMX, RFPro, PathWave, HFSS, CST)
• Praktische Erfahrung mit RF-Mess- und Charakterisierungsgeräten (z.B. VNA, Spektrumanalysator, Oszilloskop, Signalgenerator)
• Starke Kommunikations-, Teamarbeit- und Führungsfähigkeiten
• Verhandlungssichere Englischkenntnisse erforderlich; Deutschkenntnisse sind von Vorteil

indie Semiconductor und seine Tochtergesellschaften sind Arbeitgeber, die Chancengleichheit bieten, integrativ sind und alle Bewerber unabhängig von Alter, Abstammung, Hautfarbe, Familienstand, Gesundheitszustand, geistiger oder körperlicher Behinderung, nationaler Herkunft, Rasse, Religion, politischer und/oder dritter Zugehörigkeit, Geschlecht, Schwangerschaft, sexueller Orientierung, Geschlechtsidentität, militärischem oder Veteranenstatus oder einer anderen gesetzlich geschützten Eigenschaft berücksichtigen.

Wir ermutigen Bewerbungen von allen qualifizierten Kandidaten und werden die Bedürfnisse der Bewerber gemäß den jeweiligen Gesetzen während aller Phasen des Rekrutierungs- und Auswahlprozesses berücksichtigen.

Bezüglich Agenturen: indie Semiconductor akzeptiert keine unaufgeforderten Lebensläufe und übernimmt keine Verantwortung für Gebühren, die damit verbunden sind.