Senior Digital IC Design Engineer

In dieser Rolle werden Sie die Architektur, das Design und die Implementierung von digitalen Speicherchips leiten, die digitale, logische, NVM-analoge Schaltungen und Hochgeschwindigkeits-Schnittstellen kombinieren. Sie werden während des gesamten Entwicklungszyklus beteiligt sein, von der Spezifikation und RTL-Design über funktionale und physische Verifizierung bis hin zur Validierung nach dem Silizium, wobei Sie eng mit den Analog- und Layout-Teams in einer schnelllebigen Start-up-Umgebung zusammenarbeiten.

Verantwortlichkeiten

• Entwerfen und Entwickeln von auf Hafniumoxid-Technologie basierenden NVM-Speichergeräten und Beitrag zu innovativen Speicherarchitekturen.
• Unterstützung des Designteams bei der Definition von Spezifikationen und der Integration digitaler und analoger Blöcke in das vollständige Speichersystem.
• Verantwortung für die Architektur, das Design und die Implementierung digitaler Speicherchips, einschließlich der Integration von NVM-analogen Schaltungen, Logikbussen und externen/internen Schnittstellen.
• Durchführung der funktionalen Verifizierung (Simulation, Regression, Abdeckung), um robuste Designs in Sign-off-Qualität sicherzustellen.
• Enge Zusammenarbeit mit Analogdesign- und Layout-Ingenieuren, um die Robustheit des Chips, Timing-Abschluss und Flächen-/Leistungsoptimierung sicherzustellen.
• Durchführung der Verifizierung und Fehlersuche nach dem Silizium, Korrelation von Labor-Messungen mit Simulationsergebnissen und Antrieb von Designverbesserungen.

Ihr Profil

• Abschluss in Elektrotechnik oder einem verwandten Fachgebiet.
• Mindestens 6 Jahre Erfahrung im digitalen CMOS-IC-Design und NVM/Speicherdesign.
• Starke praktische Erfahrung mit branchenüblichen Design-, Simulations- und physischen Implementierungstools (z.B. Cadence DFII, Virtuoso, Spice-Simulatoren, Verilog-A, Cadence Pegasus).
• Solides Verständnis der CMOS-Technologie, der Prinzipien des digitalen Designs und der Interaktion zwischen digitaler Logik und analogen/mischsignaltechnischen Blöcken.
• Erfahrung mit dem vollständigen Designfluss: Architektur, RTL-Design, Synthese (falls zutreffend), Verifizierung, physische Implementierung und Inbetriebnahme nach dem Silizium.

Ideale Passform

• Frühere Erfahrung mit DDR oder anderen Speicherinterfaces ist ein erheblicher Vorteil.
• Erfahrung mit 2.5D/3D-IC-Design und Verpackung wird hoch geschätzt.
• Starke Problemlösungs- und Fehlersuchefähigkeiten, mit der Fähigkeit, komplexe bereichsübergreifende Probleme anzugehen.
• Nachgewiesene Fähigkeit, effektiv in multidisziplinären, internationalen Teams zu arbeiten.
• Fließend in Englisch, sowohl schriftlich als auch mündlich.
• Starkes Interesse an der Arbeit in einer Start-up-Umgebung, mit hohem Verantwortungsbewusstsein, Anpassungsfähigkeit und einer praktischen Denkweise.

Über uns

Ferroelectric Memory GmbH (FMC) ist ein Pionierunternehmen in der Halbleiterbranche mit Sitz in Dresden, Deutschland, das sich auf die nächste Generation der nichtflüchtigen Speichertechnologie konzentriert. Gegründet im Jahr 2016, steht FMC an der Spitze der Innovation im Bereich ferroelektrischer Speicher und ermöglicht schnellere, energieeffizientere und skalierbare Lösungen für zukünftige Computersysteme. Unser Team kombiniert tiefes Fachwissen in Halbleiterphysik, Geräteengineering und Systemdesign, um Speicherarchitekturen für aufkommende Anwendungen in KI, IoT und Hochleistungsrechnen neu zu definieren. Werden Sie Teil eines Teams, das die Zukunft der Speichertechnologie gestaltet.

Warum FMC?

• Modernste Speichertechnologie
• Starke Präsenz im Dresdner Halbleiter-Ökosystem
• Hohe Verantwortung und wirkungsorientierte Rollen
• Internationales und kollaboratives Team
• Direkter Beitrag zu KI und der nächsten Generation des Rechnens