Principal RF/mmWave Design Engineer

Stellen Sie sich vor, Teil eines Teams zu sein, das die Zukunft der Mobilität neu definiert – wo Ihre Ideen nicht nur in einem Labor bleiben, sondern die nächste Generation von Technologie antreiben. Bei indie entwickeln wir hochmoderne Halbleiter, Photonik und Radarsensoren sowie -systeme für die Automobil-, Industrie- und angrenzenden Märkte. Unsere Innovationen stehen im Mittelpunkt fortschrittlicher intelligenter Sensorik und Benutzererfahrungsanwendungen und erweitern die Grenzen des Möglichen. Wenn Sie leidenschaftlich an bahnbrechender Technologie interessiert sind und einen echten Einfluss in einem dynamischen Team ausüben möchten, das Kreativität und Zusammenarbeit schätzt, würden wir uns freuen, Sie an Bord zu haben!

Wir suchen einen Principal RF/mmWave Design Engineer, um fortschrittliche RF/mmWave-IPs und ICs für Hochfrequenzschaltungen zu entwerfen, zu integrieren und zu entwickeln, die nächste Radar-Systemgeneration antreiben. In dieser Rolle werden Sie mit außergewöhnlichen Ingenieurteams zusammenarbeiten, wichtige technische Initiativen leiten und Innovationen vorantreiben, die den Automobilsektor und die breitere High-Tech-Industrie unterstützen. Wenn Sie leidenschaftlich daran interessiert sind, integrierte Schaltungen für Frequenzen von bis zu 120 GHz zu entwerfen und in einer dynamischen, wachstumsorientierten Umgebung gedeihen, ermutigen wir Sie, diese Gelegenheit zu erkunden.

AUFGABENBEREICHE

• Architektur, Spezifikation, Design und Integration von Hochleistungs-RF/mmWave-IPs und ICs
• Entwicklung integrierter Hochfrequenzschaltungen für Radar-Anwendungen
• Entwurf von Schaltungen, die bei 24 GHz, 60 GHz, 77 GHz und bis zu 120 GHz arbeiten
• Cross-funktionale Zusammenarbeit mit System-, Anwendungs-, Software-, RF-Labor- und ATE-Teams
• Leitung technischer Aktivitäten und Mentoring von Junior-Ingenieuren
• Durchführung oder Unterstützung der Schaltungscharakterisierung und -debugging im RF-Labor

ANFORDERUNGEN

• MSc oder PhD in Elektronik, Mikroelektronik oder einem verwandten Bereich mit mehr als 5 Jahren Berufserfahrung im Design von RF/mmWave-ICs
• Starke theoretische und praktische Expertise im siliziumbasierten IC-Design, insbesondere RF-ICs über 10 GHz
• Nachgewiesene Erfahrung im Design von mmWave-Schaltungen wie Verstärkern, PAs, Phasenrotatoren, Splittern/Kombinierern, LNAs und Frequenzmultiplikatoren
• Kenntnisse in RF-CMOS- und BiCMOS-Prozesstechnologien, einschließlich automotive-spezifischer Spezifikationen
• Beherrschung von Transistor-Level-Analog/RF-Simulations-, Layout- und Verifizierungstools (z.B. Cadence, EMX, RFPro, PathWave, HFSS, CST)
• Praktische Erfahrung mit RF-Mess- und Charakterisierungsgeräten (z.B. VNA, Spektrumanalysator, Oszilloskop, Signalgenerator)
• Starke Kommunikations-, Teamarbeit- und Führungsfähigkeiten
• Verhandlungssichere Englischkenntnisse erforderlich; Deutschkenntnisse sind von Vorteil

indie Semiconductor und seine Tochtergesellschaften sind Arbeitgeber, die Chancengleichheit bieten und alle Bewerber unabhängig von Alter, Abstammung, Hautfarbe, Familienstand, Gesundheitszustand, geistiger oder körperlicher Behinderung, nationaler Herkunft, Rasse, Religion, politischer und/oder dritter Zugehörigkeit, Geschlecht, Schwangerschaft, sexueller Orientierung, Geschlechtsidentität, Militär- oder Veteranenstatus oder einer anderen gesetzlich geschützten Eigenschaft berücksichtigen. Wir ermutigen Bewerbungen von allen qualifizierten Kandidaten und werden die Bedürfnisse der Bewerber gemäß den jeweiligen Gesetzen während aller Phasen des Rekrutierungs- und Auswahlprozesses berücksichtigen.

Bezüglich Agenturen: indie Semiconductor akzeptiert keine unaufgeforderten Lebensläufe und übernimmt keine Verantwortung für Gebühren, die mit solchen verbunden sind.