Auf einen Blick
- Aufgaben: Entwickle bahnbrechende RF-GaN-Technologien für die nächste Generation von RF-Leistungsanwendungen.
- Unternehmen: Werde Teil eines globalen Leaders in Halbleiterlösungen mit Fokus auf Innovation.
- Vorteile: Attraktives Gehalt, flexible Arbeitsmodelle und Möglichkeiten zur beruflichen Weiterentwicklung.
- Weitere Informationen: Dynamisches, internationales Team mit einem starken Fokus auf Vielfalt und Inklusion.
- Warum dieser Job: Gestalte die Zukunft der Technologie und arbeite an nachhaltigen Lösungen für eine grünere Welt.
- Qualifikationen: Master oder PhD in Mikroelektronik, Elektrotechnik oder Physik sowie über 10 Jahre Erfahrung.
Das prognostizierte Gehalt liegt zwischen 82800 - 101200 € pro Jahr.
Wir sind für Technologien, die die Zukunft antreiben. Schließen Sie sich einem Team an, das bahnbrechende RF-GaN-Innovationen für Anwendungen im Bereich RF-Leistung vorantreibt. In Ihrer Rolle als Lead Principal Engineer Device Development RF-GaN (w/m/div) kombinieren Sie tiefgehende technische Expertise mit innovativer Entwicklungsarbeit und gestalten fortschrittliche Gerätetechnologien vom Konzept bis zur Produktion, während Sie mit internationalen Experten aus verschiedenen Disziplinen zusammenarbeiten.
Ihre Rolle
- Zukunft gestalten: Entwicklung von hochmodernen RF-GaN/Si-Gerätetechnologien für RF-Leistungsanwendungen vom Prozesskonzept bis zur Produktionsübergabe.
- Kreativität: Implementierung neuartiger Prozess- und Gerätekonzepte für nächste Generation RF-GaN/Si-Technologieplattformen.
- Daten sind alles: Optimierung der Geräteleistung und Zuverlässigkeit sowie Entwicklung der erforderlichen Charakterisierungsmethoden.
- Stakeholder-Management: Koordination mit Projektmanagement, Prozessentwicklung, Charakterisierung, Produktdesign und Kunden.
- Teamarbeit macht den Traum wahr: Zusammenarbeit in einem internationalen Multi-Site-Umfeld.
- Verantwortung übernehmen: Weiterentwicklung der RF-GaN/Si-Gerätetechnologie mit Fokus auf Hochleistungsanwendungen.
Ihr Profil
- Abschluss: Sie haben einen Masterabschluss oder eine Promotion in Mikroelektronik, Elektrotechnik oder Physik.
- Berufserfahrung: Sie bringen mehr als 10 Jahre Erfahrung in der Entwicklung von GaN-Gerätetechnologien mit.
- Persönlichkeit: Sie zeigen ein hohes Maß an Initiative, Selbstmotivation, Ergebnisorientierung und eine proaktive Denkweise.
- Arbeitsstil: Sie tragen starke Teamplayer-Fähigkeiten bei und haben einen klaren Fokus auf Ergebnisse und Fortschritt.
- Fähigkeiten: Sie verfügen über fundierte Kenntnisse in GaN-Geräten für RF-Anwendungen sowie über einen starken Hintergrund in Halbleiterphysik und -technologie.
- Sprachen: Sie kommunizieren sicher in Englisch und können komplexe Themen effektiv präsentieren.
Wir sind auf einer Reise, um das beste Infineon für alle zu schaffen. Wir streben danach, das beste Infineon für alle zu schaffen, indem wir Vielfalt und Inklusion fördern. Wir begrüßen Bewerber, wie sie sind, und bieten einen Arbeitsplatz, der auf Vertrauen, Offenheit, Respekt und Chancengleichheit basiert. Unsere Einstellungsentscheidungen basieren auf Fähigkeiten und Erfahrungen. Auch wenn Sie nicht alle Anforderungen erfüllen, ermutigen wir Sie, sich zu bewerben.
Lead Principal Engineer Device Development RF-GaN (w/m/div) in Regensburg Arbeitgeber: Infineon Technologies
Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG ist ein hervorragender Arbeitgeber, der seinen Mitarbeitern nicht nur die Möglichkeit bietet, an innovativen Projekten im Bereich IT PLM und MDM zu arbeiten, sondern auch ein unterstützendes und inklusives Arbeitsumfeld fördert. Mit einem klaren Fokus auf persönliche Entwicklung und Karrierewachstum, sowie einer Unternehmenskultur, die Vielfalt und Chancengleichheit schätzt, sind wir bestrebt, das beste Infineon für alle zu schaffen und gleichzeitig die Herausforderungen von morgen zu meistern.
