Research Assistant (f/m/d)

In unserer Gruppe bereiten und analysieren wir Nanodrähte (NWs) aus III-V-Halbleitern in verschiedenen Gerätearchitekturen für die Energieumwandlung und andere Hochleistungsanwendungen. Für die NW-Analyse verwenden wir verschiedene materialwissenschaftliche Charakterisierungsmethoden, einschließlich eines speziellen 4-Spitzen-Scanning-Tunneling-Mikroskops. In diesem von der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) geförderten Projekt beschäftigen wir uns mit III-Nitrid-resonanten Tunnel-Dioden in NW-Core-Shell-Strukturen für verbesserte Leistung im THz-Bereich zusammen mit unseren Projektpartnern an der Universität Duisburg-Essen. Zu den wichtigsten Herausforderungen gehören die Kristallqualität der Heterostrukturen und interne Polarisationsfelder.

Ihre Aufgaben umfassen folgende Verantwortlichkeiten:

• Analyse und Bewertung von III-V-Halbleiterstrukturen, die durch metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) gewachsen sind, insbesondere resonante Tunnel-Dioden.
• Elektrische Charakterisierung der Strukturen unter Verwendung eines 4-Spitzen-Scanning-Tunneling-Mikroskops und elektronischer Strahl-induzierter Strommessungen hinsichtlich der Ladungsträgertransportwege.
• Materialwissenschaftliche Analyse der Morphologie von Nanodrähten, Untersuchung der verschiedenen strukturellen Bereiche, insbesondere lokaler Zusammensetzungsunterschiede, unter Verwendung von Rasterelektronenmikroskopie und energiedispersiver Röntgenspektroskopie.
• Technische Unterstützung der Abteilung in der Lehre, z.B. themenrelevante Abschlussarbeiten.
• Veröffentlichung und Präsentation von Ergebnissen auf nationalen und internationalen Konferenzen und in Fachzeitschriften.

Ihr Profil:

Für die Teilnahme am Auswahlprozess ist erforderlich:

• Ein abgeschlossenes Hochschulstudium (Master oder Diplom) mit überdurchschnittlichen Noten in einem naturwissenschaftlichen, materialwissenschaftlichen oder ingenieurtechnischen Fach (z.B. Physik, Chemie, erneuerbare Energietechnologie, Materialwissenschaft oder Elektrotechnik).

Folgende Kompetenzen sind wünschenswert:

• Tiefgehende Kenntnisse der Halbleiterphysik sind zwingend erforderlich.
• Kenntnisse der Naturwissenschaften (Physik, Chemie), Materialwissenschaft und/oder Ingenieurwesen in der Halbleiterherstellung.
• Fähigkeit, selbstständig und verantwortungsbewusst in einem innovativen, interdisziplinären Team und Forschungsumfeld zu arbeiten.
• Sprachkenntnisse (Englisch B2-Niveau, Deutsch B2-Niveau).

Bitte legen Sie Nachweise über die für die Stelle erforderlichen Qualifikationen durch Zertifikate und Referenzen vor. Die Stelle ist nicht für eine Teilzeitbeschäftigung geeignet. Die Vorstellungsgespräche finden in der Kalenderwoche 14/2026 und 15/2026 statt.

Was wir Ihnen bieten:

• Attraktive Vergütung gemäß Tarifvertrag (nach TV-L) inkl. Gewährung einer Sonderzahlung.
• Urlaubsanspruch von 30 Tagen im Kalenderjahr und zusätzliche freie Tage am 24./31. Dezember.
• Familienfreundliches, flexibles Arbeitszeitmodell.
• VBL - Altersvorsorge im öffentlichen Dienst.
• Umfangreiche individuelle Weiterbildungsmöglichkeiten.
• Umfangreiche Gesundheits- und Sportprogramme.
• Respektvolles Arbeitsumfeld an einer renommierten Universität.

Schwerbehinderte Bewerberinnen und Bewerber mit im Wesentlichen gleicher beruflicher Eignung werden bevorzugt ausgewählt. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an Prof. Dr. Thomas Hannappel, Telefon.