(Sr.) Process Development Engineer - GaN (m/f/d)

(Sr.) Process Development Engineer - GaN (m/f/d)

Vollzeit 60000 - 80000 € / Jahr (geschätzt) Kein Homeoffice möglich
N

Auf einen Blick

  • Aufgaben: Leite die Entwicklung von GaN-Prozessmodulen zur Verbesserung der Geräteleistung.
  • Unternehmen: Weltklasse-Unternehmen in der Halbleiterentwicklung mit dynamischer Kultur.
  • Vorteile: Flexible Arbeitszeiten, unbefristeter Vertrag und zahlreiche Weiterbildungsmöglichkeiten.
  • Weitere Informationen: Engagiertes Umfeld mit Fokus auf Vielfalt und Inklusion.
  • Warum dieser Job: Gestalte die Zukunft der Leistungselektronik in einem innovativen Team.
  • Qualifikationen: Master oder Ph.D. in Elektrotechnik oder Festkörperphysik mit Erfahrung in Halbleiterprozessen.

Das prognostizierte Gehalt liegt zwischen 60000 - 80000 € pro Jahr.

Nexperia ist ein weltweit führendes Unternehmen in der Halbleiterentwicklung und -produktion. Wir suchen talentierte Personen mit tiefgreifender technischer Expertise, einer offenen Denkweise und dem Antrieb, komplexe Herausforderungen zu lösen und Ideen in praktische, skalierbare Lösungen umzusetzen.

Über die Rolle

Als (Sr.) Process Development Engineer (m/w/d) werden Sie Teil unseres talentierten und ehrgeizigen F&E-Teams und tragen direkt zu unserer Fähigkeit bei, erfolgreich Gallium-Nitrid (GaN)-Bauelemente zu produzieren.

Dies ist Ihr neuer Job:

  • Leitung der Entwicklung von GaN-Prozessmodulen (Ätzen, Abscheidung, Metallisierung, Passivierung usw.), um die Geräteleistung zu verbessern.
  • Zusammenarbeit mit Fab-Ingenieuren, um die Herstellbarkeit, Stabilität und Skalierbarkeit neuer Technologien sicherzustellen.
  • Zusammenarbeit mit Design- und Geräteingenieuren, um Konzepte in Prozessabläufe zu übersetzen.
  • Erforschung neuer Materialien, Prozesschemie und Integrationsschemata zur Verbesserung von Leistung, Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit.
  • Durchführung von DOE-Experimenten, Analyse der Ergebnisse und Identifizierung optimaler Prozessbedingungen.

Qualifikationen:

  • Master- oder Ph.D.-Abschluss oder gleichwertige Erfahrung in Elektrotechnik oder Festkörperphysik mit spezifischem Know-how und praktischer Erfahrung in Halbleiterprozessen und -charakterisierung, insbesondere für GaN-Technologie.
  • Starker Hintergrund in GaN- oder III-V-Halbleiterprozess-Technologie.
  • Praktische Erfahrung mit Halbleiterfertigungsprozessen im Reinraum.
  • Starke Fähigkeiten in Datenanalyse und statistischen Werkzeugen.
  • Frühere Erfahrung in der Halbleiterindustrie ist von Vorteil.
  • Teamplayer mit starken Problemlösungsfähigkeiten und einer kontinuierlichen Verbesserungsmentalität.
  • Gute Kommunikationsfähigkeiten in Englisch (sowohl mündlich als auch schriftlich), Deutsch von Vorteil.

Warum bei uns arbeiten?

  • Flexible Arbeitszeiten und die Möglichkeit zur Reduzierung von Überstunden zur Aufrechterhaltung einer Work-Life-Balance.
  • Unbefristeter Arbeitsvertrag mit einem wettbewerbsfähigen Gehalt und zusätzlichen freiwilligen Mitarbeiterleistungen.
  • Eine Vielzahl von Schulungen und Karriereentwicklungsmöglichkeiten.
  • Zahlreiche weitere Vorteile, wie Altersvorsorge, Reisekostenzuschuss für das öffentliche Verkehrsticket, Unternehmensveranstaltungen, Sport- und Freizeitaktivitäten, Mitarbeiterrabatte und vieles mehr.

Nexperia setzt sich für Vielfalt ein, nicht nur weil es das Richtige ist, sondern weil vielfältige Teams besser abschneiden. Unser Rekrutierungsprozess ist inklusiv und für alle zugänglich, und wir betrachten alle Bewerber fair.

(Sr.) Process Development Engineer - GaN (m/f/d) Arbeitgeber: Nexperia Germany GmbH

Nexperia ist ein hervorragender Arbeitgeber, der seinen Mitarbeitern ein dynamisches und unterstützendes Arbeitsumfeld bietet, in dem Innovation und Teamarbeit gefördert werden. Mit flexiblen Arbeitszeiten, einem unbefristeten Arbeitsvertrag und zahlreichen Weiterbildungsmöglichkeiten sorgt Nexperia dafür, dass Talente nicht nur geschätzt, sondern auch aktiv gefördert werden. Darüber hinaus engagiert sich das Unternehmen für Vielfalt und Inklusion, was es zu einem attraktiven Arbeitsplatz für alle macht, die eine bedeutungsvolle Karriere im Bereich der Halbleitertechnologie anstreben.

N

Kontaktdaten:

Nexperia Germany GmbH Recruiting-Team

StudySmarter Expertenrat🤫

Wir sind der Meinung, dass Sie so (Sr.) Process Development Engineer - GaN (m/f/d) erhalten könnten

Tipp Nummer 1

Netzwerken ist der Schlüssel! Nutze Plattformen wie LinkedIn, um mit Fachleuten aus der Halbleiterindustrie in Kontakt zu treten. Zeige Interesse an ihren Projekten und teile deine eigenen Ideen – so bleibst du im Gedächtnis.

Tipp Nummer 2

Bereite dich auf technische Interviews vor! Recherchiere häufige Fragen zu GaN-Technologien und Prozessen. Übe deine Antworten laut, damit du selbstbewusst und kompetent rüberkommst.

Tipp Nummer 3

Sei proaktiv! Wenn du eine interessante Stelle bei Nexperia siehst, bewirb dich direkt über unsere Website. Warte nicht darauf, dass die perfekte Gelegenheit zu dir kommt – zeig Initiative!

Tipp Nummer 4

Zeige deine Leidenschaft für Innovation! In deinem Vorstellungsgespräch kannst du Beispiele für Projekte oder Herausforderungen nennen, die du gemeistert hast. Das zeigt, dass du bereit bist, Grenzen zu überschreiten und Lösungen zu finden.

Wir glauben, dass du diese Fähigkeiten brauchst, um (Sr.) Process Development Engineer - GaN (m/f/d) mit Bravour zu bestehen

Prozessentwicklung
GaN-Technologie
Halbleiterfertigung
Datenanalyse
Statistische Werkzeuge
Problemlösungsfähigkeiten
Teamarbeit

Einige Tipps für deine Bewerbung 🫡

Mach deine Hausaufgaben:Bevor du dich bewirbst, schau dir die Unternehmenswerte und die Kultur von Nexperia genau an. Wir sind ein dynamisches Team, das Innovation und Zusammenarbeit schätzt. Zeig in deiner Bewerbung, dass du zu uns passt!

Sei konkret und präzise:Wenn du über deine Erfahrungen sprichst, sei spezifisch! Nenn konkrete Beispiele, wie du in der Vergangenheit Herausforderungen gemeistert hast, besonders im Bereich GaN-Technologie. Das zeigt uns, dass du wirklich weißt, wovon du sprichst.

Zeig deine Leidenschaft:Wir suchen nach Menschen, die für ihre Arbeit brennen! Lass in deiner Bewerbung durchscheinen, warum du dich für die Halbleiterindustrie und speziell für GaN interessierst. Deine Begeisterung kann den Unterschied machen!

Bewirb dich über unsere Website:Um sicherzustellen, dass deine Bewerbung die richtige Aufmerksamkeit erhält, bewirb dich direkt über unsere Website. So können wir deine Unterlagen schnell und effizient bearbeiten. Wir freuen uns auf deine Bewerbung!

Wie man sich auf ein Vorstellungsgespräch bei Nexperia Germany GmbH vorbereitet

Verstehe die Technologie

Mach dich mit den Grundlagen der GaN-Technologie vertraut. Informiere dich über aktuelle Trends und Herausforderungen in der Halbleiterindustrie, insbesondere im Bereich der III-V-Halbleiter. Zeige während des Interviews, dass du nicht nur die Theorie verstehst, sondern auch praktische Anwendungen und Entwicklungen im Blick hast.

Bereite konkrete Beispiele vor

Denke an spezifische Projekte oder Erfahrungen, die deine Fähigkeiten als Prozessentwicklungsingenieur unter Beweis stellen. Sei bereit, über deine Rolle in der Entwicklung von Prozessen zu sprechen, die die Leistung von Geräten verbessert haben. Konkrete Beispiele helfen dir, deine Problemlösungsfähigkeiten und deinen Teamgeist zu demonstrieren.

Stelle Fragen

Bereite einige durchdachte Fragen vor, die du dem Interviewer stellen kannst. Das zeigt dein Interesse an der Position und am Unternehmen. Frage nach den aktuellen Herausforderungen im Team oder wie Nexperia Innovationen im Bereich GaN vorantreibt. Das gibt dir auch die Möglichkeit, mehr über die Unternehmenskultur zu erfahren.

Kommunikation ist der Schlüssel

Achte darauf, klar und präzise zu kommunizieren. Da gute Englischkenntnisse gefordert sind, übe, technische Konzepte auf Englisch zu erklären. Wenn du auch Deutsch sprichst, nutze diese Fähigkeit, um einen positiven Eindruck zu hinterlassen. Eine klare Kommunikation kann oft den Unterschied machen!