(Senior) Principal Device Engineer (m/f/d) – GaN Power Devices

(Senior) Principal Device Engineer (m/f/d) – GaN Power Devices

München Vollzeit 60000 - 80000 € / Jahr (geschätzt) Kein Homeoffice möglich
Nexperia

Auf einen Blick

  • Aufgaben: Leite die Entwicklung von GaN-Leistungsbauelementen und optimiere deren Architektur.
  • Unternehmen: Nexperia, ein innovatives Unternehmen in der Halbleiterbranche.
  • Vorteile: Wettbewerbsfähiges Gehalt, flexible Arbeitszeiten und ein inklusives Arbeitsumfeld.
  • Weitere Informationen: Wachsendes internationales Team mit hervorragenden Karrieremöglichkeiten.
  • Warum dieser Job: Gestalte die Zukunft der Leistungselektronik mit modernster Technologie.
  • Qualifikationen: Abschluss in Halbleiterphysik oder Elektrotechnik und Erfahrung in GaN-Entwicklung.

Das prognostizierte Gehalt liegt zwischen 60000 - 80000 € pro Jahr.

Über die Rolle

Schließen Sie sich Nexperia an und treiben Sie die Entwicklung der nächsten Generation von GaN-Leistungsbauelementen voran. In dieser leitenden Rolle werden Sie technische Führungsarbeit in der Gerätearchitektur, Simulation und Optimierung leisten – indem Sie fortschrittliche Gerätephysik in leistungsstarke, herstellbare Lösungen umsetzen.

Was Sie tun werden

  • Leitung der Definition und Optimierung der Gerätearchitektur für GaN-Technologien
  • Verantwortung für Leistungsziele und Abwägung von Kompromissen zwischen Leistung, Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit
  • Durchführung von TCAD-Simulationen, Modellierung und Design zur Unterstützung der Technologie- und Produktentwicklung
  • Zusammenarbeit mit funktionsübergreifenden Teams in den Bereichen Prozess, Charakterisierung, Zuverlässigkeit und Produktengineering
  • Unterstützung der Industrialisierung durch Bereitstellung robuster, skalierbarer Geräte Konzepte

Ihr Profil

  • Abschluss (MSc/PhD) oder gleichwertig in Halbleiterphysik, Elektrotechnik oder einem verwandten Bereich
  • Nachgewiesene Erfahrung in der Entwicklung von GaN- oder breiten Bandlückenbauelementen
  • Starke Expertise in Gerätephysik, TCAD-Simulation und Halbleiterdesign
  • Erfolgsbilanz bei der Leitung komplexer, multidisziplinärer technischer Projekte
  • Analytische, selbstmotivierte und kollaborative Denkweise in einem internationalen Umfeld

Ihr Team

Schließen Sie sich unserem wachsenden globalen GaN-Team an und helfen Sie, die Zukunft der Leistungsdiskrete zu gestalten. Wir suchen talentierte Personen mit tiefem technischem Fachwissen, einer offenen Denkweise und dem Antrieb, komplexe Herausforderungen zu lösen und Ideen in praktische, skalierbare Lösungen umzusetzen.

(Senior) Principal Device Engineer (m/f/d) – GaN Power Devices Arbeitgeber: Nexperia

Nexperia ist ein hervorragender Arbeitgeber, der seinen Mitarbeitern nicht nur ein dynamisches und energiegeladenes Arbeitsumfeld bietet, sondern auch zahlreiche Möglichkeiten zur persönlichen und beruflichen Weiterentwicklung. Mit einem starken Fokus auf Teamarbeit und Innovation fördert das Unternehmen eine Kultur des Engagements und der Wertschätzung, die es den Mitarbeitern ermöglicht, ihre Fähigkeiten in der Halbleiterentwicklung voll auszuschöpfen und an bedeutenden Projekten zu arbeiten.

Nexperia

Kontaktdaten:

Nexperia Recruiting-Team

Wir glauben, dass du diese Fähigkeiten brauchst, um (Senior) Principal Device Engineer (m/f/d) – GaN Power Devices mit Bravour zu bestehen

Gerätetechnologie
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Gerätephysik
Multidisziplinäre Projektleitung
Analytische Fähigkeiten