Praktikum: Charakterisierung von Sensorschichten und Ionensensitiven Feldeffekttransistoren
Praktikum: Charakterisierung von Sensorschichten und Ionensensitiven Feldeffekttransistoren

Praktikum: Charakterisierung von Sensorschichten und Ionensensitiven Feldeffekttransistoren

Dresden Praktikum 500 - 1500 € / Monat (geschätzt)
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Auf einen Blick

  • Aufgaben: Charakterisierung von Sensorschichten und ISFETs, Durchführung von Messreihen und Dokumentation der Ergebnisse.
  • Arbeitgeber: Fraunhofer IPMS, führend in photonischen Mikrosystemen und Nanoelektronik.
  • Mitarbeitervorteile: Dynamisches Team, moderne Forschungsinfrastruktur, Unterstützung bei Abschlussarbeiten und Karriereeinstieg.
  • Warum dieser Job: Einfluss auf innovative Produkte in Märkten wie Automotive und Luftfahrt, interdisziplinäres und wissenschaftliches Arbeitsumfeld.
  • Gewünschte Qualifikationen: Studium in Chemie, Physik oder verwandten Fachrichtungen, praktische Erfahrung mit elektrochemischen Messverfahren.
  • Andere Informationen: Flexible Praktikumsdauer, Vergütung nach Bundesrichtlinien.

Das voraussichtliche Gehalt liegt zwischen 500 - 1500 € pro Monat.

Vollständige Stellenbeschreibung

Die Fraunhofer-Gesellschaft betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 800 Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 3,0 Milliarden Euro.

Innovative Technologielösungen entwickeln und diese in die Anwendung bringen – das ist unser Ziel am Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS. Mit unserer Expertise in der Entwicklung photonischer Mikrosysteme, zugehöriger Technologien inklusive der Nanoelektronik und drahtloser Kommunikationslösungen, erschaffen wir – in flexiblen und interdisziplinären Teams – Technologien für innovative Produkte in verschiedensten Märkten wie z.B. Automotive, Industrie, Luft- und Raumfahrt.

Im Bereich "Chemische Sensorik" werden seit vielen Jahren Ionensensitive Feldeffekttransistoren (ISFET) für die pH-Messung entwickelt. Diese erfolgreichen Entwicklungen werden aktuell fortgeführt und zu einer Technologie ausgebaut, die eine neue Generation an ISFETs und neue Anwendungen ermöglichen wird. Die neuen Bauelemente müssen hinsichtlich ihrer elektrischen und sensorischen Eigenschaften charakterisiert und experimentell ermittelte Daten mit Simulationen abgeglichen werden.

Was du bei uns tust

  • Einarbeitung in die am Fraunhofer IPMS entwickelte ISFET Technologie und die installierten Messapparaturen
  • Durchführung von ISFET Messreihen, beispielsweise bzgl. Arbeitspunkt, Isothermenschnittpunkt, Lichtempfindlichkeit, pH-Steilheit und Driftverhalten
  • Charakterisierung von neuartigen Sensorschichten mittels EIS-(Electrolyte-Insulator Semiconductor) Messungen
  • Dokumentation der Ergebnisse

Was du mitbringst

  • Studium im Bereich der Chemie, Physik, Halbleiterphysik oder in einer vergleichbaren Fachrichtung
  • Praktische Erfahrungen im Bereich der Anwendung elektrochemischer Messverfahren
  • Kenntnisse im Bereich Halbleiterbauelemente, bevorzugt MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) und ISFET, sind von Vorteil
  • Interesse an einer interdisziplinären Tätigkeit in einem wissenschaftlichen und teamorientierten Arbeitsumfeld, das von gegenseitigem Austausch geprägt ist
  • Freude am selbstständigen und strukturierten Bearbeiten der Aufgaben
  • Offenheit im Umgang mit Fehlern
  • Sehr gute Deutsch- und gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift

Was du erwarten kannst

Wir bieten dir eine spannende Aufgabe und wertvolle Einblicke in die Methoden und Vorgehensweisen eines modernen High-Tech-Forschungsinstituts. Auf dich wartet ein motiviertes und dynamisches Team in einer sehr gut ausgestatteten Forschungs- und Entwicklungslandschaft. Zudem bieten wir dir Anknüpfungspunkte im Rahmen deines Studiums oder deines Berufseinstiegs, z.B. ein Thema für deine Abschlussarbeit oder der Beginn deiner Karriere am Fraunhofer IPMS. Wir unterstützen dich dabei!

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.

Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle ist für die Dauer des Praktikums befristet. Die Dauer ist nach Absprache und möglichen Studienrichtlinien flexibel zu gestalten. Die Vergütung richtet sich nach den Richtlinien des Bundes über Praktikantenvergütungen.

Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.

Haben wir dein Interesse geweckt? Dann bewirb dich jetzt online mit deinen aussagekräftigen Bewerbungsunterlagen. Wir freuen uns darauf, dich kennenzulernen!

Kontakt

Frau Sabrina Weimert

Personalabteilung

Telefon: +49 (0)351 8823 415

Herr Dr. Olaf Hild

Fachabteilung

Telefon: +49 (0)351 8823 450

Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS

Kennziffer: 74836

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Praktikum: Charakterisierung von Sensorschichten und Ionensensitiven Feldeffekttransistoren Arbeitgeber: Photonische Mikrosysteme

Das Fraunhofer IPMS ist ein Spitzenreiter in der anwendungsorientierten Forschung, spezialisiert auf photonische Mikrosysteme und Nanoelektronik. Es bietet ein dynamisches, teamorientiertes Arbeitsumfeld und fördert die Vielfalt und Entwicklung seiner Mitarbeiter. Mit einer starken Verbindung zur Industrie bietet es exzellente Karrierechancen und die Möglichkeit, an zukunftsweisenden Technologien zu arbeiten.
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Kontaktperson:

Photonische Mikrosysteme HR Team

Diese Fähigkeiten machen dich zur top Bewerber*in für die Stelle: Praktikum: Charakterisierung von Sensorschichten und Ionensensitiven Feldeffekttransistoren

Elektrotechnik
Datenmodellierung
Statistische Analyse
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    Bewerbungsfrist: 2026-11-01

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